Samsung acaba de anunciar un enorme chip flash de 1TB para dispositivos de próxima generación.
Almacenamiento de 1TB llega a los teléfonos de Samsung
Samsung acaba de romper el umbral de 1TB para la memoria en el dispositivo con el anuncio del primer chip de almacenamiento flash universal de 1TB (eUFS) de la industria. Además, ya está en producción en serie. Exactamente en qué dispositivo aparecerá por primera vez, todavía no se conoce, aunque el rumor de los móviles se está poniendo en marcha antes del último MWC de febrero (la feria comercial oficialmente conocida como Mobile World Congress) en Barcelona y la están asignando con confianza al próximo Galaxy Note 10.
Los niveles de rendimiento son bastante asombrosos, especialmente cuando se considera que se produce solo cuatro años después del desarrollo del primer chip eUFS de 128 GB, y tiene el mismo factor de forma de 11,5 x 13 mm que la versión anterior de 512 GB.
Cuando se lanzó al mercado en noviembre de 2017, Samsung comenzó a comercializar los teléfonos como «listo para 1TB», ya que el problema era que tenía que insertar una tarjeta microSD de 512 GB en el dispositivo para llegar a ese nivel. Sin embargo, no existe un doble sentido con la nueva unidad, que no solo es de 1 TB desde el principio, sino que también cuenta con unas estadísticas de rendimiento bastante impresionantes.
El chip combina 16 capas apiladas de la quinta generación de memoria flash V-NAND de 512 GB de Samsung con un nuevo controlador que lo ve alcanzar velocidades de transferencia de 1000MBps. Esto, señala Samsung, es el doble de la velocidad de lectura secuencial de un SSD SATA de 2.5in típico y se acerca a 10 veces la velocidad de una tarjeta microSD típica. La velocidad de lectura aleatoria es de hasta 58,000 IOPS (operaciones de entrada / salida por segundo), con grabaciones aleatorias que inician sesión en 50,000 IOPS. La velocidad de escritura secuencial es de 260MBps.
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